均勻分布應(yīng)該是最好的狀態(tài)，覺得不太可能做到。這個問題很好，我想因為氣壓的高低差比較大，在剛進入真空室時是氣流，由于檔板等的阻礙后會向不同方向運動，這時可認為是初步的均勻，但由于真空室各個地方的氣壓不同，流速也是不一樣的。所以這個狀態(tài)比較復雜。你所擔心的是由于氣流不均勻會影響成膜？

高折射率的鍍得比低折射率的要慢，所以MASK就相對小

對環(huán)狀坩堝,在用一段時間后總會出現(xiàn)或大或小的空洞,請問各位有什么好的判斷方法嗎?怎樣避免出現(xiàn)空洞呢   

1. 鍍膜過程中觀察電流有無變化:出坑電流會變小

2.鍍膜結(jié)束觀察:比較直接且一目了然

3.空洞的位置:如在邊緣且較小則影響不大

避免方法:

1.加強熔料

2.改善熔料方法

3.加料方面
 

我們做TOOLING一般就是做單層膜，光學TOOLING和水晶TOOLING，盡量用長波（低級次）的PEAK去判   做tooling不需要大量的實驗，修好分布以后，做單層膜就可以抓出光學和水晶tooling   光斑的影響對Tooling很大，最好用眼睛看光斑的位置大小，并且與上一次作對比。個人認為，調(diào)tooling的話比較不方便，還是調(diào)光斑的位置、大小好一點。NBPF2的晶控鍍兩層AR還是可以了。

經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的膜系大致的工藝實施方法為：

1.確定工藝參數(shù)：工作壓強、基板溫度、各種材料的成膜速率，離子源工作參數(shù)；

2.在此工藝參數(shù)下作5H，5L，測量光譜透過率曲線；

3.計算出H,L膜料的折射率值；

4.用此折射率值進行優(yōu)化膜系的設(shè)計；

5.應(yīng)用優(yōu)化膜系鍍膜，測出光譜曲線，并與設(shè)計曲線對比；

6.對比結(jié)果如有明顯差異，說明實際折射率與設(shè)計時使用的折射率不同；

7.適當修改設(shè)計中使用的折射率值進行重新優(yōu)化設(shè)計并鍍膜，使測試曲線更逼近設(shè)計曲線。