從前面關(guān)于3D Tri-Gate工藝的介紹來看，這一創(chuàng)新技術(shù)給桌面處理器帶來了無“限”可能，實(shí)際上，Tri-Gate工藝還將引發(fā)現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的革新。

Intel將在以上五家晶圓廠采用22nm Tri-Gate制造工藝

 
3D Tri-Gate工藝為移動設(shè)備帶來更廣闊發(fā)展空間

晶體管是現(xiàn)代電子的基石，3D Tri-Gate工藝一舉改變了沿用了50多年的晶體管設(shè)計(jì)，它不僅延續(xù)了摩爾定律，還將為移動處理器芯片掃清體積和功耗上的障礙，從而在為移動計(jì)算設(shè)備提供媲美桌面處理器性能的同時(shí)，進(jìn)一步降低設(shè)備功耗，這在電池技術(shù)發(fā)展緩慢的當(dāng)前具有非凡的意義。

晶體管制造工藝發(fā)展

 
Intel計(jì)劃推出14nm制程的Atom處理器

Intel目前正在進(jìn)入移動處理芯片市場，借助3D Tri-Gate工藝，Intel可以推出更低功耗的Atom處理器(關(guān)于Atom處理器發(fā)展歷史可參考文章：終究能否逆天！Intel Atom全面回顧)，從Intel Atom處理器路線圖上我們看到，Intel計(jì)劃于2014年推出14nm的Atom，3D Tri-Gate工藝則在2013年就登陸22nm的Atom了。在3D Tri-Gate新工藝幫助下，Intel將能推出性能更強(qiáng)、功耗更低的SoC芯片，一切順利的話，智能手機(jī)和平板機(jī)市場的格局將會全面改變。